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DIAS紅外測(cè)溫儀檢出的電力設(shè)備的故障類型有哪些?

更新時(shí)間:2021-09-26 點(diǎn)擊量:809
  一般紅外熱像儀加裝鍺玻璃是作為儀器的窗口,起到對(duì)后續(xù)光學(xué)系統(tǒng)及紅外探測(cè)器件的保護(hù)作用。但由于鍺材料的折射率為4,直接使用會(huì)對(duì)入射信號(hào)產(chǎn)生較大損失,為了提高紅外信號(hào)的透射能力,鍺玻璃上還需鍍制合適的薄膜,以提高透射率并保護(hù)鍺透鏡表面。
  鍺夾層玻璃,在2-16um具備非常好的透光度能,物理性質(zhì)也相對(duì)穩(wěn)定,不容易與氫氧化物,酸性物質(zhì)氣體和水反映。紅外線測(cè)溫儀器和熱成像儀里邊必須采用中遠(yuǎn)紅外線的濾色片,DIAS紅外測(cè)溫儀和熱成像儀一般工作中波段在2-13um,而鍺夾層玻璃恰好先在遠(yuǎn)紅外線具備非常好的透光度,一般的光學(xué)鏡片在這種波段透過率極低,因此沒辦法完成。
  再加在鍺夾層玻璃上鑲上光學(xué)薄膜,能夠 大大增加它的透過率,降低鍺夾層玻璃表層的透射率。鍺夾層玻璃在不可見光波段不是通過的。在一些熱成像儀中人們還可以用硅晶體來(lái)替代鍺夾層玻璃,硅晶體的波段沒鍺夾層玻璃那么遠(yuǎn)。
  硅(Si)多晶硅是一種有機(jī)化學(xué)可塑性原材料,強(qiáng)度高,不溶解水,它在1-7μm波段具備非常好的透光度能,另外它在遠(yuǎn)紅外線波段300-300μm也具備非常好的透光度能,它是其他光紅外線原材料所不具備的特性。
  硅(Si)多晶硅一般用以3-5μm中波紅外線學(xué)對(duì)話框和電子光學(xué)濾光的基片,因?yàn)樵撛牧蟼鳠嵝阅芎?,相?duì)密度低,,也是制做激光器反射鏡片或DIAS紅外測(cè)溫儀及紅外線光學(xué)激光鏡片的常見原材料。
  通紅外熱成像儀和DIAS紅外測(cè)溫儀窗口上用鍺玻璃,主要考慮8-14um這一波段,不鍍膜情況下鍺玻璃的透過率只有40-50%,而鍍了增透膜之后的透過率可以達(dá)到90%。而且多數(shù)客戶在鍺玻璃還會(huì)要求鍍DLC類金剛石碳膜,用來(lái)加強(qiáng)鍺玻璃的硬度,起到一定的防爆效果。
  紅外測(cè)溫技術(shù)檢出的電力設(shè)備的故障類型主要分為兩大類:
  一、設(shè)備的外部熱故障。
  指設(shè)備的發(fā)熱部位裸露于環(huán)境中,采用紅外熱像儀直接觀測(cè)其表面熱分布狀態(tài),并迅速確定其位置。外部熱故障產(chǎn)生的主要原因是設(shè)備部件的接觸電阻異常增大引起的。
  (1)設(shè)備部件接觸面不平整或氧化。
  (2)接觸面的連接質(zhì)量問題.
  使用紅外熱像儀檢出的常見設(shè)備外部故障有:各種裸露的電氣接頭部分,如隔離刀閘觸頭、穿墻套管接頭、電設(shè)備出線接頭等
  二、設(shè)備的內(nèi)部熱故障。
  電力設(shè)備由于內(nèi)部故障發(fā)熱,而發(fā)熱的部位封閉于設(shè)備內(nèi)部,無(wú)法采用熱像儀直接觀察、確定故障的具體位置,只能通過獲取設(shè)備表面的熱分布圖,進(jìn)行分析、類比加以判斷。
  造成設(shè)備內(nèi)部故障原因如下:
  (1)設(shè)備內(nèi)部電氣連接或觸頭接觸不良,引起的電流熱效應(yīng)。
  (2)內(nèi)部介質(zhì)損耗增大引起發(fā)熱。
  (3)內(nèi)部電壓分布不良或泄漏電流過大引起發(fā)熱。
  (4)內(nèi)部絕緣老化、受潮、缺油或渦流引起(鐵損增大)發(fā)熱。

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